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低温烧结氮化硼基陶瓷复合材料实现高导热性能

文章出处:产品百科 责任编辑:东莞东超新材料科技有限公司 发表时间:2024-08-02
  

     氧化铝陶瓷在无线通信系统中的作用至关重要,尤其是随着高频通信技术的发展,对其小型化和集成化的需求愈发强烈。目前,低温烧结的氧化铝陶瓷面临的主要问题是导热性不足,在高功率运行时会导致温度显著升高,进而影响器件的表现和寿命。尽管已有研究尝试在低温条件下制备高热导率的陶瓷,但这些研究制成的陶瓷热导率仍远低于高温烧结产品。因此,开发能够在低温下烧结且具有高导热性的先进陶瓷材料成为了一个紧迫的研究课题。

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       在这一背景下,氮化硼因其独特的物理和化学特性,在低温烧结陶瓷领域崭露头角。近期,南方科技大学汪宏团队在混合集成和共烧技术方面取得了重大进展,特别是在开发导热性好的低温烧结陶瓷材料方面。他们成功研制出在极低温度(如150℃)下烧结的致密取向氮化硼(BN)基陶瓷复合材料,该材料具有高达42W/(m·K)的导热系数,远超现有的低温陶瓷。
     氮化硼以其卓越的热导率而著称,与金刚石和立方氮化硼相匹敌,因此在电子器件和热管理系统的高效散热方面发挥着关键作用。其热导率远超传统陶瓷材料,包括氧化铝和氮化铝。氮化硼的硬度极高,仅次于金刚石,赋予了它卓越的耐磨性和耐腐蚀性,广泛应用于切削工具、磨料和高温润滑剂等领域。作为一种优秀的电绝缘体,氮化硼适用于高压和高频电子器件,其高电阻率也使其成为高性能绝缘涂层的理想材料。氮化硼在高温和腐蚀性环境中表现出极佳的化学稳定性,不易与酸、碱和盐发生反应,因此在化学工业和航空航天领域具有潜在的应用价值。此外,氮化硼的低介电常数和介电损耗,以及优异的微波介电性能,使其成为无线通信和雷达系统中微波器件的理想选择。氮化硼的熔点超过3000℃,适用于高温环境,且其低热膨胀系数确保了在温度变化下的尺寸稳定性。
      通过详尽的实验研究和模拟分析,团队发现这种陶瓷复合材料的高导热性主要归功于BN片的高密度和高取向排列。这一突破不仅打破了低温烧结陶瓷在导热性上的限制,而且得到了团队开发的新理论模型的支持。此外,该陶瓷复合材料还展现了优异的微波介电性能,为其在无线通信和电子器件等领域的应用开辟了广阔的道路。该研究成果以“所有陶瓷的超高热导率和优异介电性能在超低温下创造”为标题发表在《Cell Reports Physical Science》杂志上。
       这项成就不仅为制备高导热陶瓷材料提供了新的路径,也为低温下高功率器件的集成提供了可能性。展望未来,随着研究的进一步深入和技术的发展,氮化硼基陶瓷复合材料有望在无线通信系统中扮演更加关键的角色,从而推动整个行业的进步。

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